供应9V升12V 1.5A大功率升压芯片

 9V升12V 1.5A大功率芯片
12V升24V   24V升36V     升降压车充芯片  3V升15V LED驱动升压IC   8V至30V转12V 2A升降压大功率芯片   3V升5v 2A自动升降压芯片
   3.7V升12v 1A  5V升12v 1.5A升压芯片      12V升24v 3.5A升降压IC   5V升9V/1A大功率升压芯片        5V升12V/800mA       8.4V升12V/2A      12V升19V/3A   12V升24V升36V升48V升60V  24V升28V  5V升12V   3V升9V升12V 升压芯片   YNS306  80v-12V输入升降压ic   12V升24V 升降压ic ?10V-24V转12V 2A输出 低压升压3V升5V /2A 3V升12V升24V升36V升60V
大电流降压芯片 YNS306外置MOS管降压芯片 80V转75V转60V转48V转36V转24V转12V    宽电压9V-24V-28V稳压12V/3A 自动升降压芯片
?YNS306为一款频率可调、外置MOSFET大电流升压芯片，电路PWM输出直接驱动N沟道场效应管驱动升压实现大电流输出，芯片的输入范围为2.2～15V，该控制器采用*特的控方案，PWM（脉冲宽度调制）的优越性，提供一个高效、较宽电压调节范围的电源。具有较小的静态电流，在重载情况下具有较高的效率，噪声小。采用很小体积的外围元件就可获得满意的输出纹波，这样便于降低电路成本及电路的尺寸。
广泛应：
LCD Panel背光、通讯设备
移动电源、医疗设备、车载电源
应充电器、电动车系统供电
其基本特性如下： 
1. 提供高精确度参考电压源: 0.5V(+/-2%) 
2. Totem Pole 输出PWM 信号，用以直接推动NMOS 
3. 宽工作电压范围：3.6V-15V 
4. 宽工作频率范围：50KHz~1MHz 
5. 欠压IC 栓锁功能(UVLO) 
6. 较大PWM DTC 限制：75% 
7. 软开机及短路保护功能 (Soft-Start amp;am SCP) 
8. 省电功能 (Shutdow Mode) 
9. TSSOP-8L封装
新款QC3.0高效率移动电源升压IC?9V2A
3-4.2V转5V/9V/12V快充**升压大电流芯片    3-4.2V转5V2.5A大电流升压芯片     9V升12V 1.5A大功率芯片
5V升12V升16V 4A 大电流外置MOS升压   5V转9V 1.5A快充移动电源升压芯片  
10v~30v输入输出12v 3A      12V升18.5V 4A大电流外置MOS升压IC  
8v-17v升降12v自动升降压芯片  YNS306